薄膜沉積技術根據成膜機理的（de）不同，主要分為物理、化學、外延三大工藝。物理氣相沉積鍍膜（mó）設備，簡稱PVD真空鍍膜機。化學氣相沉（chén）積鍍膜機，簡稱為CVD鍍膜機。

      薄膜沉積技術是半導體（tǐ）、光伏等行業發展必不可少的關鍵工藝。薄膜沉積技（jì）術是指將在真空下用各種方法獲得的氣（qì）相原子或分子在基體材料表麵沉積以獲得離層被膜的（de）技術。它既適合於製備超硬、耐蝕、耐（nài）熱、抗氧化的機械薄膜，又適合於製（zhì）備磁記錄，信（xìn）息存儲（chǔ）、光敏、熱敏、超導、光電轉換等功能薄膜；此外，還可用於（yú）製（zhì）備裝（zhuāng）飾性鍍膜。近20年來，薄膜沉積技術得到了飛速發展，現已被廣泛應用於機械、電子（zǐ）、裝飾等領域。

      PVD真（zhēn）空鍍膜（mó）機沉積速度快、沉積溫度低、物理手段（duàn）對環境（jìng）友好、更適應硬質合金（jīn）精（jīng）密複雜刀具的塗層。PVD是指在真空條件下利（lì）用高溫蒸發或高能粒子等物理方法轟擊靶材，使靶材表麵原（yuán）子“蒸（zhēng）發”並沉（chén）積在襯底（dǐ）表（biǎo）麵，沉積速率高，一般適用於各類金屬、非金屬、化合物膜層的平麵沉積。按照（zhào）沉積時物理機製的差別，物理氣相沉積一般分為真空蒸發鍍膜技術、真空濺射鍍膜、離子（zǐ）鍍（dù）膜和（hé）分子（zǐ）束外延等。近年來，薄（báo）膜技（jì）術（shù）和薄膜材料（liào）的發展突飛猛進、成果顯著，在原（yuán）有基礎上，相繼（jì）出現（xiàn）了離子（zǐ）束增強沉積技術、電火花沉積技術、電子束物理氣相沉積技術和（hé）多層（céng）噴射沉積技術等。

      CVD鍍膜設備種（zhǒng）類繁多（duō），當前PECVD為（wéi）主（zhǔ）流技（jì）術，未來市占率有望進一（yī）步提升（shēng）。CVD是指利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界麵上發（fā）生反應生成固態（tài）沉積物的過程，是近幾（jǐ）十年發展起（qǐ）來的製備無機材料的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質、研（yán）製（zhì）新晶體、澱積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些（xiē）材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或（huò）多元的元素間化（huà）合物，而且它們的物理功能可以通過氣（qì）相摻雜的（de）澱積過程精（jīng）確控製。CVD鍍膜重複性和台階覆蓋性較好，可用於SiO2、Si3N4、PSG、BPSG、TEOS等（děng）介質薄（báo）膜，以及半導體、金屬（W）、各類金屬有機化合物薄膜沉積。CVD種（zhǒng）類繁多，根據腔室壓力、外部能量等不同，可（kě）大致分為 APCVD、LPCVD、SACVD、 PECVD、MOCVD等（děng）類別（bié）。CVD設備（bèi）反應源容易獲得、鍍膜成（chéng）分多樣、設備相對簡單、特別適用於（yú）在形狀複雜的零件表麵和內孔鍍膜。