真空鍍膜機濺射濺射工藝主要用於濺射刻蝕和薄膜沉積兩個方麵。濺射（shè）刻蝕（shí）時（shí），被刻蝕的材料置於靶極位置（zhì），受氬（yà）離子的轟擊進行刻蝕。刻蝕速率與靶極材（cái）料的濺射產額、離子流密度（dù）和濺（jiàn）射室的真空度等（děng）因素有關。濺（jiàn）射刻蝕時，應盡可能（néng）從濺射室中除（chú）去濺出的靶極原子。

         常用的方法是引入反應氣體，使之與濺出的靶極原子反應生成揮發性氣體，通過真空係統（tǒng）從濺射室中排出。沉積薄膜時，濺射源置於靶極，受氬離子轟擊後發生濺射。如（rú）果靶材是單質（zhì）的，則在襯（chèn）底上生成靶極物質的單質薄膜；若在濺射（shè）室內有意識地引入反應氣體，使之與濺出的靶材原子發生化學反應（yīng）而澱積於（yú）襯底，便可形成靶極材料的化（huà）合物薄膜。通常，製取化合物或合金薄膜是用化合物或合金靶直接進行（háng）濺射而得。在濺（jiàn）射中，濺出的原子是與具有數千（qiān）電子伏的高能離子交換能量後飛濺出來的，其能（néng）量較高，往往（wǎng）比蒸發原子（zǐ）高出1～2個數量級，因而用濺射法形成的薄膜與襯底的粘附性較蒸發為佳。若在濺射時襯底加適當的偏（piān）壓，可以兼（jiān）顧襯底的清潔處理（lǐ），這（zhè）對生成薄膜的台階覆蓋也有好處。

        另外，用濺射法可以製備不能用蒸發工藝製備（bèi）的高熔點、低蒸氣壓物質膜，便於製備化合（hé）物或（huò）合金的薄膜（mó）。濺射主要（yào）有離子束（shù）濺射和（hé）等離子體（tǐ）濺射兩種方法。離子束濺射裝置中，由離子槍提供一定能（néng）量的定向離子束轟擊靶極產生濺射。離子槍可以兼作襯底的清潔處理和對（duì）靶極的濺射（shè）。為避免在絕緣（yuán）的固體表麵產生電荷堆積，可采用荷能中性束的濺射。中性束是荷能正離子在（zài）脫離離子槍之前由電子中和所（suǒ）致。離子束濺射廣泛應用於表（biǎo）麵分析儀器中，對（duì）樣（yàng）品進行（háng）清潔處理或剝層處理。由於束斑大小有限，用於（yú）大麵積襯底的快速薄膜澱積尚有困（kùn）難。

　
        等離子體濺射也稱輝（huī）光放電濺射。產生濺射所需的正離子來源於輝光放電中的等離子區。靶極表麵必須是一個（gè）高的負電位，正離子被此電場（chǎng）加（jiā）速後獲得動能轟擊靶極（jí）產生濺射（shè），同時（shí）不可避免地發生電子對襯底的轟擊。

        真空鍍膜機磁控濺射工藝，也分好幾種，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁（cí）控濺射（shè）、對靶濺射、射（shè）頻濺射、偏壓濺（jiàn）射、非對稱交流（liú）射頻（pín）濺（jiàn）射、離子束濺射以及反應濺射（shè）等，選擇哪一種濺射方法，具（jù）體（tǐ）要看鍍什麽工件，工件是什麽材（cái）質，鍍什麽膜（mó）層而決定