真空鍍膜（mó）機濺射濺射工藝主要用於濺射刻蝕和薄膜（mó）沉積兩個方麵。濺射刻（kè）蝕時，被刻蝕的材料置於靶（bǎ）極位置，受氬離子的（de）轟擊進行刻（kè）蝕。刻蝕（shí）速率（lǜ）與靶極材（cái）料的濺射產額、離子流密度和濺射室的真空（kōng）度等因素有關。濺射刻蝕時，應盡可能從濺射室中除（chú）去濺出的靶極原子。

         常用的方法是引入反應氣體，使之與濺出的靶極原子反應生成揮發性氣體，通過真空係統從濺射室中排出（chū）。沉積薄（báo）膜（mó）時，濺（jiàn）射源置（zhì）於靶極，受氬離子轟擊後發生濺射。如果靶材是單質的，則在襯底上生成靶極物質（zhì）的單質（zhì）薄膜；若在濺射室內有意（yì）識地引入反應（yīng）氣體，使之與濺出的靶材原子發生化學反應而澱積於襯底，便可（kě）形成靶極材料的化合物薄膜。通常，製取化合物或合金薄膜是用化合物（wù）或合金靶直接進行濺射而得。在濺射（shè）中，濺出的原（yuán）子是與具有數千電子伏的高能離（lí）子交換能量後飛濺（jiàn）出來的（de），其能量較高，往（wǎng）往比蒸發原子（zǐ）高（gāo）出1～2個數量級（jí），因而（ér）用濺射法形成的薄膜與襯底的粘附性較蒸發為佳。若在濺射時襯（chèn）底加適當的（de）偏壓，可以（yǐ）兼（jiān）顧襯底的（de）清潔處（chù）理，這對生成薄（báo）膜的台階覆（fù）蓋也有好處。

        另外，用濺射法可以製（zhì）備不能用蒸發工藝製備的高熔點、低蒸氣壓物質膜，便於製備化合物或合金的薄膜。濺射主要有離子束濺（jiàn）射和等離子體濺射兩種方法。離子束（shù）濺射裝置中，由離子槍提供一定能量的定向離子束轟（hōng）擊靶（bǎ）極（jí）產（chǎn）生濺（jiàn）射。離子（zǐ）槍可以兼作襯底的清潔處理和對靶極的濺（jiàn）射。為避免在絕緣的固體表麵產生電荷堆積，可采用荷能中性束的濺射。中性束是荷能正離子在脫離離子槍（qiāng）之前由電子中和所致。離子束濺射廣泛應用於表麵（miàn）分析儀器中，對樣品進行清潔處理或剝層處理。由於束斑大小有限，用於大麵積襯底的快速薄膜澱（diàn）積尚有困難。

　
        等離子體濺射也稱輝光放電濺（jiàn）射（shè）。產生（shēng）濺射所需的正離子來源於（yú）輝光放電中的等（děng）離子區。靶極表麵（miàn）必須是（shì）一（yī）個高的負（fù）電位（wèi），正離子被此電場加速（sù）後獲得動能轟擊靶極產生濺射，同時不可避免（miǎn）地發生電子對（duì）襯底的轟擊。

        真空（kōng）鍍膜機磁控濺射工藝，也分（fèn）好幾種，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱（chēng）交流射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等，選擇哪一種濺射方法，具（jù）體要看鍍什麽工件，工件是什麽材質，鍍什麽膜層而決定