真空鍍膜機濺射濺射工藝主要用（yòng）於濺射刻（kè）蝕和薄膜沉積兩個方麵。濺射刻蝕時，被刻蝕的材料置於靶（bǎ）極位置，受氬（yà）離（lí）子的轟擊進行刻蝕。刻（kè）蝕速（sù）率（lǜ）與靶極材料的濺射產額、離子流密度和濺射室（shì）的真空（kōng）度等因素有關。濺射刻蝕時，應盡可能從濺射室中除去濺（jiàn）出（chū）的靶極原子。

         常用的方法是引入反應氣體，使之與濺出的靶極原子（zǐ）反應生成揮發性氣體，通過真空（kōng）係統（tǒng）從濺射室中排（pái）出。沉積薄膜時（shí），濺射源置於靶極，受氬離子轟擊後（hòu）發生濺射。如果靶（bǎ）材是單質的，則在襯底上生成靶極（jí）物質的單質薄膜（mó）；若在濺（jiàn）射室內有意識地引入反應氣體，使之與濺出的靶材原子發生化學反應（yīng）而澱積於襯底，便可形成靶極（jí）材（cái）料的化合物薄膜。通常，製取化合物或合（hé）金薄膜是用化合（hé）物（wù）或合金靶直接進行濺射而得。在濺射中，濺出（chū）的原子是與具有數千電（diàn）子伏的高能（néng）離子交換能量後飛（fēi）濺出來的，其能量較高，往往（wǎng）比蒸發原子高出1～2個（gè）數量級，因而用濺射（shè）法形成的（de）薄膜與襯底的（de）粘附性較蒸發為（wéi）佳。若在濺射時襯底加適當的偏壓，可以兼顧（gù）襯底的清潔處理，這對生成薄膜的台階覆蓋也有好處。

        另外，用濺射（shè）法可以製備不能用蒸發工藝製備的高熔（róng）點、低蒸氣壓物質（zhì）膜，便於（yú）製備化合物或合金的薄膜。濺射主（zhǔ）要（yào）有離子束濺射和等離子體濺射兩種方法。離子（zǐ）束濺射裝置中，由（yóu）離子槍提供一定能量的定向離子（zǐ）束（shù）轟擊（jī）靶極產生濺射。離（lí）子槍（qiāng）可以兼作襯底的清（qīng）潔處理和（hé）對靶極的濺射。為避免在絕緣的（de）固體表麵產生電荷堆積，可采用荷（hé）能中（zhōng）性束的濺射。中（zhōng）性束是荷能正離子在（zài）脫離離子槍（qiāng）之前由（yóu）電子中和所致。離（lí）子束濺射廣泛應用於表麵分析儀器中，對樣品進行（háng）清潔處理或剝層處理（lǐ）。由於束斑大小有（yǒu）限，用（yòng）於大（dà）麵積襯底的快（kuài）速薄（báo）膜澱積尚有困難。

　
        等離子體濺射也稱輝光放（fàng）電（diàn）濺射。產生濺射所需的正離子來源於輝光放電中的等離子區。靶極表麵必須是一個高的負電位，正離子被此電（diàn）場加速後獲得動（dòng）能轟擊靶極產生濺射，同時不（bú）可避（bì）免地發生電子對（duì）襯底的轟（hōng）擊。

        真空鍍膜機磁（cí）控濺射（shè）工藝，也分好幾（jǐ）種，主要有二級濺射（shè）、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻（pín）濺射、偏壓濺射、非（fēi）對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射（shè）等，選（xuǎn）擇哪一種濺射方法，具體（tǐ）要看鍍什麽工件，工（gōng）件是什麽材質，鍍什（shí）麽膜層而（ér）決定