真空鍍膜機濺射濺射工藝主要用於濺射刻蝕和薄膜沉積兩個（gè）方（fāng）麵。濺射刻蝕時，被刻蝕的材（cái）料置於靶極位置，受氬離子的轟擊進行刻蝕。刻蝕速率與靶極材料的濺射產額、離（lí）子（zǐ）流密度和濺射室的真空度等因素有關。濺射刻蝕時，應盡可能從濺射室中除去（qù）濺出（chū）的靶極原子。

         常用的方法是引入反應氣體（tǐ），使之與（yǔ）濺出的靶極原（yuán）子反應生成（chéng）揮發性氣（qì）體，通過真空係（xì）統從濺射（shè）室中排出。沉積薄膜時，濺射源置於靶極（jí），受氬離子轟擊後發生濺射。如果靶材是（shì）單質的，則在（zài）襯（chèn）底上生成靶極物質的單質薄膜；若在濺射室內有意識（shí）地引入反應氣體，使之與濺出的靶材原子發生化學反應（yīng）而澱積於襯底，便可形成靶極材料的（de）化（huà）合（hé）物薄膜。通常，製取化合物或合金薄膜是用化合物或合金靶直接進行濺射而得。在濺射中，濺出的原子是與具有（yǒu）數千電子（zǐ）伏的高能離子交換能量後飛濺（jiàn）出來的（de），其能量較（jiào）高（gāo），往（wǎng）往比蒸發原子高出1～2個數量級（jí），因而用濺射法形成的薄膜與襯底的（de）粘附性較蒸發為佳。若在濺射時襯底加適當的偏壓，可以兼顧（gù）襯底的清潔處（chù）理，這對生成薄（báo）膜的台階覆蓋也有好處。

        另外，用濺射法可以（yǐ）製備不能用蒸發工藝製備的高熔點、低蒸（zhēng）氣壓物質膜，便於製備化合物或合（hé）金的薄膜。濺射主要有離子束濺射和等離子體濺射兩種方法。離子束濺射裝置中，由離子槍提供一定能量的（de）定（dìng）向離子束轟擊（jī）靶極產生濺射。離子槍可以兼作襯底的清潔處（chù）理（lǐ）和對靶極的濺射。為避免在絕緣的固體表麵產生電荷堆（duī）積，可采用荷能中性束的濺（jiàn）射。中性束是荷能正（zhèng）離子在脫離離子槍之前由電子中和所致。離子束濺射廣泛應用於表（biǎo）麵分析（xī）儀器中，對樣（yàng）品進行清潔處理或剝（bāo）層處理。由於束斑大（dà）小有限，用於大麵積襯底的快速薄膜澱（diàn）積（jī）尚有困難。

　
        等離子體濺射也稱輝光放電濺射。產生濺射所需的正離子來源於輝光放電中的等離子區。靶極表麵必須是一個高（gāo）的負電位，正離子被此電場加速後獲得動能轟擊靶極產生濺射（shè），同（tóng）時（shí）不可避免地發生電子（zǐ）對襯底的轟擊（jī）。

        真空鍍膜機磁控濺射工藝，也分好幾種，主要（yào）有二級（jí）濺射（shè）、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱（chēng）交流射頻（pín）濺射、離子束濺射以及反應（yīng）濺射等，選擇哪一種濺射（shè）方法，具體要看（kàn）鍍什麽工件，工件是什麽材質（zhì），鍍什麽膜層而決定