薄膜（mó）沉積技術根據成膜機理的不同，主要分為物理、化學、外延（yán）三大工藝。物理氣相沉積鍍膜（mó）設備，簡稱PVD真空鍍膜機。化學氣相沉積鍍膜（mó）機，簡稱為CVD鍍膜機。

      薄膜沉積技術是半導體、光伏等行業發展必（bì）不（bú）可少的關鍵（jiàn）工藝。薄膜沉積技術是指將在真空下（xià）用各種方法獲得的氣相原子或分子在基體材料表麵沉積以獲得離層被膜（mó）的技術。它既適合於製備超硬、耐蝕、耐熱（rè）、抗（kàng）氧化的機械（xiè）薄膜，又適合於製備磁記（jì）錄，信息存儲、光敏、熱敏、超導、光電轉換等功能薄（báo）膜；此外，還可用於製備裝飾性鍍膜。近20年來，薄膜沉積技術得到了（le）飛速發展，現已被廣泛（fàn）應用於機械、電子、裝飾等領域。

      PVD真空鍍膜機沉（chén）積速度快、沉積溫度低、物理（lǐ）手段對環境友好、更適應硬質（zhì）合金精密複雜刀具的塗層。PVD是指在真空條件下利（lì）用高溫蒸發或高能粒子等物理方法轟（hōng）擊靶材，使靶材表麵原子“蒸發”並沉積在（zài）襯底表麵，沉積速率高，一般適用於各類金屬、非金屬、化（huà）合物膜層的平麵沉積。按照沉積時物（wù）理機製的差別，物理氣相沉（chén）積一般分為真空蒸發（fā）鍍膜技術、真空濺射鍍膜、離子鍍膜（mó）和分子束外延等。近年來，薄膜技術和薄膜材料的發展突飛猛進、成果顯著，在原有基礎上，相繼出（chū）現了（le）離子束增強沉積技術、電火花沉積技術、電子束物理氣相沉積技術和多層（céng）噴射沉積技術等。

      CVD鍍（dù）膜設備種類繁多（duō），當前PECVD為主流（liú）技術，未來市占率有望進一步提升。CVD是指利用氣態或蒸汽態的物質在氣相（xiàng）或氣固界麵上發生反應生成（chéng）固態沉積物的（de）過程，是近幾十年發展起來的製備無機（jī）材料（liào）的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質（zhì）、研製新晶體、澱積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這（zhè）些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也（yě）可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元（yuán）素間（jiān）化合物，而且它（tā）們（men）的物理功（gōng）能可以通過氣相（xiàng）摻雜的澱積過程精確控製（zhì）。CVD鍍膜重複（fù）性和台階覆（fù）蓋（gài）性較好，可用於SiO2、Si3N4、PSG、BPSG、TEOS等介質薄膜，以及半導體、金屬（W）、各類金屬有機化合物薄（báo）膜沉積。CVD種（zhǒng）類繁多，根據腔（qiāng）室壓力、外部能量等不同，可大致分為（wéi） APCVD、LPCVD、SACVD、 PECVD、MOCVD等類別。CVD設備反應源容易獲得、鍍膜成分多樣、設備相（xiàng）對簡單、特別適用於在形狀（zhuàng）複（fù）雜的零件表麵和內孔（kǒng）鍍膜。