薄膜沉积技（jì）术根据成膜机理的（de）不同（tóng），主（zhǔ）要（yào）分为物理、化学、外延三大工艺。物理气（qì）相沉积镀膜设备，简称（chēng）PVD真空镀膜机。化学气（qì）相沉积镀膜机，简称为CVD镀膜机（jī）。

      薄膜（mó）沉（chén）积技术是（shì）半导体、光伏等行业发展必不可少的关键工艺。薄膜沉积技术是指（zhǐ）将（jiāng）在真空下用（yòng）各种（zhǒng）方法（fǎ）获得的气相原子或分（fèn）子在基体材料表面沉（chén）积（jī）以获得离（lí）层被膜的技术。它既适（shì）合于制备超（chāo）硬、耐蚀、耐（nài）热、抗氧化的机械薄（báo）膜，又适合（hé）于制备磁记录，信息存储、光敏、热敏、超（chāo）导、光电转换等功能薄膜；此外，还可用于制备装饰性镀膜。近20年来，薄膜沉积技术得到了飞速发展，现已被广泛应用于机械、电子（zǐ）、装饰（shì）等领域。

      PVD真空镀膜机沉积速度快、沉积温度（dù）低、物理手段（duàn）对环境友好（hǎo）、更适（shì）应硬质合金精密（mì）复杂刀具的涂层（céng）。PVD是指（zhǐ）在真（zhēn）空条件下利用高温蒸发或高能粒子（zǐ）等物理（lǐ）方法轰击靶材，使靶材表面原子“蒸发（fā）”并沉积在衬底（dǐ）表面，沉积速率高（gāo），一般适用于各类金属、非金属（shǔ）、化合物膜层的平面沉积。按照（zhào）沉积时物理机制的差别，物理（lǐ）气相沉（chén）积一般分为真空蒸发镀膜技术、真空溅射镀膜、离（lí）子镀（dù）膜和分子束外（wài）延等。近年来，薄（báo）膜技（jì）术和薄膜材料的（de）发展突飞猛进、成果显（xiǎn）著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉（chén）积技术、电（diàn）火花沉积技术、电（diàn）子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等（děng）。

      CVD镀膜设备种类繁多，当前PECVD为（wéi）主（zhǔ）流技术，未来市占率（lǜ）有望进一步提升。CVD是指利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生（shēng）反（fǎn）应生成固态沉积物的过程，是近几十年发（fā）展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经（jīng）广泛用于提纯物（wù）质、研制新（xīn）晶体（tǐ）、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以（yǐ）是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以（yǐ）是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多（duō）元的元素间化合物，而且它们的物理（lǐ）功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。CVD镀膜重复性和台阶覆盖性较好，可用于SiO2、Si3N4、PSG、BPSG、TEOS等介质薄膜，以及半导（dǎo）体、金属（W）、各类金（jīn）属有机化合物薄膜沉积。CVD种类繁多，根据腔室压力、外部（bù）能量等不同，可大致分为 APCVD、LPCVD、SACVD、 PECVD、MOCVD等类别。CVD设备反应（yīng）源容易获得、镀膜成（chéng）分多样、设备相对（duì）简单、特别适用于在形状复杂的零件表面和内孔镀膜。