剛了（le）解（jiě）或者剛接觸的真空鍍膜機行業時，很多人好奇，為啥蒸發真空鍍膜設備蒸鍍材料必（bì）須要在真空狀態下（xià），而且真（zhēn）空鍍還要達到一定的標準，下麵詳細介紹：

         在常壓下蒸鍍膜料無（wú）法形成理想的薄膜，事實上，如在壓力不夠低 ( 或者說真空度不夠高（gāo） ) 的情況下同樣得不到（dào）好的結果， 比如在10 2托數量（liàng）級下蒸鍍鋁，得到（dào）的膜層（céng）不但不光亮，甚至發灰、發黑，而且機械強度極差，用鬆鼠毛刷輕輕一刷即可將鋁層破壞（huài）。

        蒸鍍必須在一定的（de）真空條件下進行，這是因為：

        1、
        較高（gāo）的真空（kōng）度可以保證汽化分子的平均自由（yóu）程大於蒸發源到基底的距離。由於（yú）氣（qì）體分子的（de）熱運動，分子（zǐ）之間的碰撞也是（shì）極其頻繁的，所以盡管氣體（tǐ）分子運動（dòng）的速度相當（dāng）的高 ( 可達每秒幾百米 ) ，但（dàn）是由於（yú）它在前進的過程中（zhōng）要與其它分子多次碰撞， 一個分子在兩次連續碰撞之間所走的距離被稱為它的自由程， 而大量分子自由程的統計平均值就被稱為分子的平均自由程。

       由於氣體壓強與單位體積的分（fèn）子數成正比， 因此平均自由程與氣體的壓強亦成正比。在真（zhēn）空澱積薄膜過程中，當（dāng）澱積距離大於分子的平均自由程時被稱為低真空（kōng）澱積， 而當（dāng）澱積距（jù）離小於分子的（de）平（píng）均自由程時（shí）被稱為高真（zhēn）空澱積。在高真空（kōng）澱積時，蒸發（fā）原子 ( 或分子 ) 與殘餘氣體分子間的碰撞可（kě）以忽略不計，因此汽化原子是沿直線飛向基片的，這樣保持較大動（dòng）能到達基片的汽化原子即可以在基片上凝結（jié）成較牢（láo）固的膜層。在低真空澱積時（shí），由於碰撞的結果會（huì）使汽化原子的速度（dù）和方向都發生變化，甚至可能在空（kōng）間生成蒸汽原子集合體（tǐ）—其（qí）道理與水蒸汽在大氣中生（shēng）成霧相似。

        2、
        在較高的真空度下可以減少殘（cán）餘氣體的汙染（rǎn）在真空度不太高的情況下， 真空室內含有眾多的（de）殘餘氣體分子( 氧、氮、水（shuǐ）及碳氫化合物等 ) ，它們能給薄膜的鍍製（zhì）帶來（lái）極大的危害。它們與汽化的膜料分子碰撞使平均自（zì）由程變短；它們與正在成膜的表（biǎo）麵碰撞並與之反應； 它們隱藏在已形（xíng）成的（de）薄膜中逐（zhú）漸侵蝕薄膜；它們與蒸發源高溫化合減少其使用壽命（mìng）；它們在已蒸發的膜料表麵上形成氧化層使蒸鍍過程不能順利進行。

 
        因此，蒸發真（zhēn）空鍍膜機要（yào）鍍製（zhì）膜層，必須（xū）要真空狀態下才能進行鍍膜，膜（mó）層才會牢固，才不會有汙染物等。