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CVD (化學氣相沉積)

化學氣相（xiàng）沉積法(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基（jī）質表麵反應合成塗層或納米材料的（de）方法，是半導體工業中應用（yòng）最為廣泛的用來（lái）沉積多種（zhǒng）材料的技（jì）術（shù），包括大範圍的絕緣材料，大（dà）多數金屬材料（liào）和金屬合金材料。從理（lǐ）論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反（fǎn）應室內，然後他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶（jīng）片表麵上。沉積氮化矽膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由矽烷和氮反應形成的。

化學氣（qì）相沉積法是傳統的製備薄膜的技術，其原理是利用氣態的先驅（qū）反應物（wù），通過原子、分子（zǐ）間化（huà）學反應，使得氣態前驅體中的某些成分分解，而在基體上形成薄膜。化學氣相沉積包括常壓化學（xué）氣（qì）相沉積、等離子體輔助化學沉積、激光輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。