真空鍍膜設（shè）備廠家

電（diàn）子束蒸發
電子（zǐ）束（shù）蒸（zhēng）發法是（shì）真空蒸發鍍膜的一種方式，它是在鎢絲蒸發的基礎上發展起來的。在真空（kōng）條件下利用電子束進行（háng）直接（jiē）加熱蒸發材（cái）料，使蒸發（fā）材料（liào）氣（qì）化並向基板輸運，在基底上凝結形成薄膜（mó）的方（fāng）法。在（zài）電（diàn）子束加熱裝置中，被加熱的物質放置於水冷的坩堝中，可避（bì）免蒸（zhēng）發（fā）材料（liào）與坩（gān）堝壁發（fā）生反應影（yǐng）響（xiǎng）薄膜的質量，因此，電子束蒸發沉積法可以製（zhì）備高純薄膜，同時在同一蒸發沉積裝置中可以安置多個坩堝，實現同（tóng）時或分別蒸發，沉積多種不同的物質。通過電子束蒸發，任何材料都可（kě）以被蒸發。電子束是一種高速的電子流。電子束蒸發是目（mù）前真空鍍膜（mó）技術中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式（shì）中膜料與蒸鍍源材（cái）料直接（jiē）接觸容易互混的問（wèn）題。

電子束蒸發
帶有縱向光束（shù）掃描的車身
帶有噴（pēn）槍的係統，以及用於較厚層的單（dān），多口袋和大容量坩堝的全數字光（guāng）束掃掠儀。
帶有坩堝轉塔係統的定製電子槍震源，用於特殊應用（yòng），並延長（zhǎng）了震（zhèn）源維（wéi）護之間的（de）產品時（shí）間。

離子（zǐ）輔助蒸發（IAD）
離子源技術可為光子學和光（guāng）電子（zǐ）學領域的應（yīng）用提（tí）供更低的工（gōng）藝溫（wēn）度，更短（duǎn）的工藝時間以及增強的薄膜性能。
優點：
電子束蒸發可以蒸發高熔點材料，比一般（bān）電（diàn）阻加熱蒸發熱效（xiào）率高、 束流密度（dù）大、蒸發速度快，製成的薄膜純（chún）度高、質 量好，厚度可（kě）以較準（zhǔn）確地控製，可以廣泛（fàn）應用於製備高純薄膜和導（dǎo）電（diàn）玻璃等各種光學材料薄（báo）膜。電子束蒸發的特點是不會或很少覆蓋在目標三維結構的兩側，通常隻會沉積在目標表麵。這是電子束蒸發和濺射的區別（bié）。
應用：
常見於半導體科研工業領域。利用（yòng）加速後的電子能（néng）量打擊材（cái）料標靶，使材料（liào）標靶蒸發升騰。最終沉積到目標上。